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IXFN48N50

发布时间:2019/7/5 9:46:00 访问次数:65 发布企业:深圳市莱利尔科技有限公司

IXFN48N50制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装 / 箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 48 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 9.6 mm
长度: 38.23 mm
系列: IXFN48N50
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 25.42 mm
商标: IXYS
正向跨导 - 最小值: 42 S
下降时间: 30 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
工厂包装数量: 10
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
单位重量: 30 g数据列表 IXFN(44,48)N50Q;
标准包装 10
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HiPerFET™


规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 48A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 100 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 190nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7000pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 底座安装
供应商器件封装 SOT-227B
封装/外壳 SOT-227-4,miniBLOC

众所周知,电池寿命是挂在智能手机上的达摩克利斯之剑。在智能手机提供高质量用户体验的众多特性中,电池寿命长短是其

中最薄弱的一环。手机厂商们一直以来主要通过两种方式来解决这个问题:要么增加快速充电功能;要么增加电池充电密度。



中国国家知识产权局最近公示了华为公司的一项锂电池发明专利,专利中描述IXFN48N50了一种全新的锂离子二次电池负极活性材料,刚

好是上面两种方案的结合。华为在电池材料中引入高能量密度的硅基材料体系,并通过杂原子掺杂硅基材料的创新技术,为充

电过程中锂离子的迁移提供快捷通道,大幅电池快充能力。



据业内专家分析,华为在锂离子电池中选用硅材料的意义在于其嵌锂容量远高于传统石墨负极。这意味着它能够锁住更多能量,

从而提高锂离子电池的能量密度。



而氮掺杂碳材料则可用于束缚嵌锂膨胀的硅材料,氮原子与碳原子以吡啶型氮、石墨型IXFN48N50氮和吡咯型氮的形式结合,形成稳定的三

维碳骨架网,抑制高容量硅材料;另外,氮掺杂碳网能够提高含硅材料/氮掺杂的碳材料的复合材料的整体导电率,新增物理快速

储锂的空间和通道,突破化学储锂极限,大幅提升电池充电电流的极限值。



极速赛车手机版下载 如果这个假设是真的,那么这项专利技术很可能是荣耀Magic电池的全新迭代。这也是华为在日本名古屋举行的第56届电池研讨

会上展示的超高速充电技术的改进版。就像多点触控技术改变手机形态一样,华为的超高速充电技术将重新定义人们使用智能手

机的方式,并让用户免受“手机用电焦虑症”的困扰。



值得一提的是,华为的超高速充电技术在消费电子产品之外也有应用。比如,它能以电池组的形式驱动电动车。那么未来华为

会进一步扩大业务吗?华为对此尚无回应,但从技术上我们可以看出,虽然IXFN48N50电池的研发成本很高,但它在未来也将会带来较高的

回报。


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